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武汉新芯宣布嵌入式闪存工艺进展顺利

时间:2021-10-13 08:57 点击次数:
 本文摘要:二零一五年1月26日,武汉新的芯集成电路芯片生产制造有限责任公司(XMC),今天宣布其第一个根据SST运用于计划方案的55nm嵌入式存储器工艺检测控制模块上早就获得成功,其髙压和数据存储器电荷检测結果与设计方案目标基本上相符合,16M存储阵列合格率符合预估。它是武汉新的芯功耗嵌入式存储器技术研发的一个最重要里程碑式。 武汉新的芯于二零一四年月刚开始与SST联合开发高可靠性的嵌入式存储器技术性。

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二零一五年1月26日,武汉新的芯集成电路芯片生产制造有限责任公司(XMC),今天宣布其第一个根据SST运用于计划方案的55nm嵌入式存储器工艺检测控制模块上早就获得成功,其髙压和数据存储器电荷检测結果与设计方案目标基本上相符合,16M存储阵列合格率符合预估。它是武汉新的芯功耗嵌入式存储器技术研发的一个最重要里程碑式。  武汉新的芯于二零一四年月刚开始与SST联合开发高可靠性的嵌入式存储器技术性。

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在彼此技术工程师的共同奋斗下,仅有效接近一年時间就顺利完成了技术性导入、工艺设计方案和器件产品研发生产制造。现阶段,器件的髙压(HV)和模块(Cell)电荷主要参数符合实际预估,总体电源电路构造兼具高可靠性和降低成本,能基本上合乎智能卡和物联网产品的市场的需求。接着,武汉新的芯将与合作方试生产智能卡商品,以检测终端设备作用和特性,并为此更进一步提升工艺、提升 合格率,搭建批量生产。

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  在55nm嵌入式存储器工艺上得到 的进度意味著武汉新的芯因此以大幅度前行自身55nm功耗物联网云平台的基本建设。武汉新的芯业务部高级副总裁黄建冬博士研究生说,大家将以后拓展目前的生产量,不断完善工艺服务平台,为顾客带来更为多自定简单化的技术性与代工生产服务项目。


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